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ホーム > ビジネスの方へ > 協業・提携のご案内 > 産総研の施設・装置を使う > 共用施設

共用施設

産総研では、これまで蓄積して来たノウハウ・成果を広く社会に普及させることを目的に、幅広い分野の研究装置を利用可能な装置として社会に公開しております。
研究装置の利用契約には以下の特徴があります。

  • 約款に基づく利用契約のため、契約手続きが明確です。
  • 発生した知的財産権は原則として利用者に帰属します。
  • 約款内で明瞭な秘密情報管理のルールを定めております。
  • 単価表で時間(枚数)当たり価格が公開されているため、コストの見通しが立て易くなっております。

ご利用に関する注意事項(規程及び約款)

産総研では、次の「国立研究開発法人産業技術総合研究所研究施設等の利用及び貸付に関する規程」及び「共用施設等利用約款」に基づき、各共用施設が管理する研究装置をご利用いただけます。

  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所研究施設等の利用及び貸付に関する規程【PDF:131KB】
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所共用施設等利用約款【PDF:233KB】
    ※2025年4月1日付で共用施設等利用約款を一部改正しました(第6条(利用料等)について、人頭経費の徴収を廃止。その他、軽微な点を修正。)。

また、先端ナノ計測施設(ANCF)とナノプロセシング施設(NPF)をご利用の場合で、文部科学省事業マテリアル先端リサーチインフラに基づき、共用施設利用により得られたデータを登録される場合は、次の「マテリアル先端リサーチインフラデータ登録約款」が適用されます。

  • マテリアル先端リサーチインフラデータ登録約款【PDF:346KB】

公開している共用施設・研究装置

  • ナノプロセシング施設(NPF)

    電子線を用いる微細構造描画装置、走査電子顕微鏡・走査型プローブ顕微鏡などの計測装置及びナノデバイスや材料の電子・光機能評価装置を有し、オリジナルな着想をいち早く具現化すべく、日々先端的な材料・デバイスの微細加工から機能検証までを一貫して推進しています。

    • 装置一覧【PDF:70KB】
    • 単価表【PDF:318KB】
  • スーパークリーンルーム産学官連携研究棟(SCR)

    3,000㎡のクラス3クリーンルームに、300mmウエハ用半導体プロセス装置を揃えています。既存のプロセスメニューを活用した研究開発や個々のプロセスや単独処理などを行うことができます。

    • 装置一覧【PDF:90KB】
    • 単価表【PDF:105KB】
  • 先端ナノ計測施設(ANCF)

    既存の計測装置の限界を克服する次世代計測機器の開発、次世代計測手法の開発、及び解析ソフトウェアやデータベースなどの知識体系化を行っています。さらに、これらの最先端計測機器とノウハウを広く公開するとともに、ISO-IEC標準化による使い勝手の向上によって、ナノテクノロジー等におけるイノベーション創出を推進しております。

    • 装置一覧【PDF:148KB】
    • 単価表【PDF:199KB】
  • 超伝導量子回路試作施設(Qufab)

    超伝導量子コンピュータ・超伝導量子アニーリングマシン・量子ビット制御用超伝導回路試作を行うための施設です。

    • 装置一覧【PDF:179KB】
    • 単価表【PDF:326KB】
  • 蓄電池基盤プラットフォーム(BRP)

    次世代蓄電池の研究開発を支援するため、最先端装置群をアンダーワンルーフに設置し、共用インフラとして全国の研究者に提供することを目的としているプラットフォームです。

    • 装置一覧【PDF:147KB】
    • 単価表【PDF:188KB】
  • 先端バイオ計測施設(BIO)

    糖鎖、植物転写因子を解析するための先端機器を提供し、各種生体試料の解析を支援しています。

    • 装置一覧【PDF:105KB】
    • 単価表【PDF:64KB】
  • MEMS研究開発拠点(MEMS)

    200/300mm(8/12インチ)ウェハのMEMSプロセスラインと集積化・評価設備を揃え、MEMSファンドリーサービスを提供しています。

    • 装置一覧【PDF:73KB】
    • 単価表【PDF:126KB】
  • 未踏デバイス試作共用ライン(COLOMODE)

    次世代半導体電子デバイスを試作研究開発するためのクリーンルームです。4インチウエハを用いたシリコン半導体デバイスプロセスの実施を中心とした機能を持ちます。

    • 装置一覧【PDF:364KB】
    • 単価表【PDF:365KB】
  • AIチップ設計拠点(AIDC)

    半導体チップを設計するための設計環境をご利用いただけます。本拠点の設計環境はクラウド上に構成されており、利用者は遠隔アクセスにより利用可能です。半導体設計に特化したシステムを利用して、アナログ・デジタル系の幅広い半導体チップ設計が可能です。その他、大規模論理エミュレータによる設計検証や、AIDCが整備したAIアクセラレータ用のSoC評価プラットフォームを利用できます。

    • 装置一覧【PDF:159KB】
    • 単価表【PDF:2.3MB】
  • クリエイティブミニマルファブ(CMF)

    産総研独自の局所クリーン化技術で開発・実現させたミニマルファブ装置群および分析・評価装置等を産総研臨海副都心センターで2024年1月から公開します。ハーフインチウェハ(12.5mm径)への半導体製造プロセスに必要な装置群を備え、各種プロセス等の実習・人材育成や、パターンサイズ1μm以上のデバイスの試作等において広く一般の方々にご利用いただけます。

    • 装置一覧【PDF:117KB】
    • 単価表【PDF:313KB】
  • BITの写真

    ブレインイメージング施設(BIT)

    静磁場強度3 T(テスラ)の磁気共鳴画像(MRI)装置を用いて、ヒトをはじめとする生体の断層構造画像、脳機能画像(fMRI)、拡散テンソル画像等を撮像します。脳機能計測のための各種刺激呈示・反応収集システム等の周辺機器を備えています。

    • 装置一覧【PDF:90KB】
    • 単価表【PDF:239KB】
  • シングル四重極イメージ図

    誘導結合プラズマ質量分析装置(シングル四重極)

    誘導結合プラズマ質量分析装置 (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry:ICP-MS) は、誘導結合プラズマ(ICP) をイオン化源とする質量分析法であり、一般に、アルゴンガスのICP をイオン化源とします。 測定は、溶液試料をネブライザーで霧状にしてICPに導入させ、イオン化された試料中の元素を質量分析計によって分離、検出します。 高感度かつ低バックグランドな測定が可能なため、pptレベルの検出が可能です。

    • 装置一覧【PDF:110KB】
    • 単価表【PDF:214KB】
  • 分析施設イメージ図

    分析施設

    原子一つ一つを可視化して分光(EDS,EELS)が可能なソフトマター観察用低加速電圧対応高分解能透過型電子顕微鏡による依頼分析を承ります。ナノレベルの元素マップ作成、化学結合状態解析、理論計算による電子状態解析などの高度な支援が可能です。事前の技術相談は無料です。また実際の分析には立合いが可能で、その場でオペレーターの助言を得ながら、依頼者の希望する分析データを得ることができます。

    • 装置一覧【PDF:72KB】
    • 単価表【PDF:99KB】
  • 小型電波暗室(SAC)イメージ図

    小型電波暗室(SAC)

    周波数30MHz~6GHzまでの計測が可能な小型電波暗室です。室内の空間は幅2.15m × 奥行き3.7m × 高さ2mであり、ハンディスペアナおよびノートPC用スペアナを用いて被測定物の周囲を任意に計測することを想定しています。また、ターンテーブル・アンテナマストも設置されており室外からの自動制御でEMIレシーバーによる計測(CISPR11に類似した計測で被測定物との距離は1~2m程度)が可能です。事前の技術相談は無料です。初回に施設利用方法の説明を致しますが、その後の技術代行は実施しておりません。

    • 装置一覧【PDF:428KB】
    • 単価表【PDF:226KB】

ご利用の手続き

  • 共用施設のご利用方法
  • FAQ

連絡先

研究環境整備本部企画部企画室

〒305-8561 茨城県つくば市東⼀丁⽬1番地1 中央事業所1群
Eメール:M-facil_kyoyo-form-ml*aist.go.jp(*を@に変更して送信下さい。)

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