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ホーム > ビジネスの方へ > はじめての方へ > 研究領域:エレクトロニクス・製造

研究領域紹介エレクトロニクス・製造領域

  • キーワード
  • 情報処理
  • データ通信
  • センシング
  • 製造プロセス
 

領域ミッション

エレクトロニクス・製造領域では、産業・社会の将来を見通した革新的なデバイスや製造技術を開発し、オープンイノベーション拠点を活用した産業界との連携を通じて、新たな価値を社会に創出します。特に、IT機器と電力変換の大幅な高効率化と高性能化を可能とする世界トップ性能のデバイスの開発と、省資源で生産効率の高い産業活動を実現する革新的な製造技術の開発を推進します。実社会におけるデータ収集・サイバー空間におけるデジタル技術・実空間への働きかけ、を一体化させるシステム(サイバーフィジカルシステム)を高度化することで、高効率な生産システムを構築し、わが国の社会課題の解決と産業競争力強化に貢献します。

重要戦略詳細

IT機器と電力変換の高効率化・高性能化を実現する技術開発

先端半導体・光電融合・パワー半導体は、IT機器と電力変換の大幅な高効率化と高性能化を可能とする重要な要素です。産総研では、低電圧・低消費電力で動作する半導体デバイス、低消費電力で大容量通信が可能な光ネットワーク、リフレッシュ動作が不要な不揮発性メモリー、次世代パワー半導体デバイスなどの開発を通じて、サイバー空間での情報処理と実世界でのアクチュエーションの大幅な高効率化・高性能化を推進します。先端半導体・先端パッケージ・パワーエレクトロニクスに関する拠点を運営し、オープンイノベーションを主導します。また、新しい半導体デバイス技術や先進コンピューティング技術の創出により、エレクトロニクスの更なる高度化に貢献します。

製造業の変革を先取りして加工技術基盤を高度化

わが国の産業競争力強化と、産業活動による環境負荷低減を両立するためには、サーキュラーエコノミーに資する新しい製造技術が必要とされています。産総研では、リマニュファクチャリングを実現する補修・評価技術や、高付加価値な部材を製造するデータ駆動型製造・加工技術を開発します。また、次世代ものづくり拠点における活動を通じて、省資源で生産効率の高い製造業の実現と、わが国の製造技術の維持・強化に貢献します。

価値の高いデータを収集できるセンシング技術開発

実社会からセンシングした質の高い情報をサイバー空間に送ることが、サイバーフィジカルシステムの高度化の鍵となります。産総研では、製造プロセス、生活環境、ヒトの身体、などのセンシング対象に応じて、センシングに必要な基盤技術を開発します。開発技術をエッジ端末やデジタル技術と連動させ、高価値なデータを実社会から収集することで、生産システムの生産性向上、レジリエントな生活環境・社会インフラの実現、人々のウェルビーイング向上に貢献します。

次世代エレクトロニクスの基盤となる材料・デバイス開発

各種の産業・社会ニーズに対応するため、サイバーフィジカルシステムを支えるエレクトロニクスの進化が求められます。その実現のためには、既存技術の改良にとどまらない新規機能を有する材料や新しい製造・加工技術を用いた高機能デバイスが期待されています。産総研では、エレクトロニクスの高効率化・高性能化に貢献する新材料、高機能デバイス、プロセス技術の開発等を通じて、将来の社会実装につながる先端的な技術シーズを創出します。

エレクトロニクス・製造領域の体制図
 
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研究ユニット紹介

  • 製造基盤技術研究部門

  • ハイブリッド機能集積研究部門

  • エレクトロニクス基盤技術研究部門

  • センシング技術研究部門

  • 先端半導体研究センター

  • 光電融合研究センター

  • 先進パワーエレクトロニクス研究センター

その他の研究推進組織

    • 産総研・東大 AIチップデザインオープンイノベーションラボラトリ
    • TEL-産総研先端材料・プロセス開発連携研究室
    • NEC-産総研量子活用テクノロジー連携研究ラボ
    • JX金属-産総研 未来社会創造 素材・技術連携研究ラボ
    • IHI-福井県-産総研 空のカーボンニュートラル先進複合材料連携研究ラボ
    • 日立-産総研サーキュラーエコノミー連携研究ラボ
    • 先端半導体製造技術コンソーシアム
    • Siフォトニクスコンソーシアム
    • 次世代グリーンデータセンター用デバイス・システムに関する協議会
    • リマニュファクチャリング推進コンソーシアム
    • ものづくり創造コンソーシアム
  • 共⽤施設HPはこちら

    • NPF (ナノプロセシング施設)
    • COLOMODE (未踏デバイス試作共⽤ライン)
    • AIDC (AIチップ設計拠点)
    • CMF (クリエイティブミニマルファブ)
    • MEMS (MEMS研究開発拠点)
    • SCR (スーパークリーンルーム産学官連携研究棟)
  • 研究開発拠点

    • 次世代コンピューティング基盤開発拠点
製造技術研究部門

製造基盤技術研究部門

サーキュラーエコノミー時代のものづくり基盤技術の構築

人口減少・高齢化、カーボンニュートラル、サーキュラーエコノミー、DXなど、ものづくりを取り巻く環境は近年大きく変化してきています。それに伴い、ものづくり技術のパラダイムシフトが起こることも予想されます。こうした変化に対応し、次世代のものづくりのコンセプト提案に繋がる尖端的な技術、サーキュラーエコノミー時代のものづくりの基盤となる技術を確立するための研究開発を推進します。
特にリマニュファクチャリングの多様化を実現する補修・評価技術に加え、部材に新たな機能の付与とモダナイゼーションを実現するデータ駆動型表面加工技術の研究開発を行い、様々なステークホルダーとの新たなものづくりネットワークの構築と連携拠点の形成を推進します。

参画するコンソーシアム

  • リマニュファクチャリング推進コンソーシアム
  • ものづくり創造コンソーシアム

研究拠点/所在地

つくばセンター中央事業所

WEBサイト

製造基盤技術研究部門WEBサイト
ハイブリッド機能集積研究部門

ハイブリッド機能集積研究部門

先進コンピューティング向け後工程の機能集積開発

当部門では、先進コンピューティングに不可欠な、後工程のデバイスおよびプロセス開発を推進します。特に、新設の新世代ハイブリッドパッケージ開発拠点を通じて、パッケージング、3D集積実装、センシング、スピントロニクス、不揮発メモリ、MEMSといった強みを活かし、機能集積を通じたコンピューティングの進化に貢献します。
また、先進研究開発と並行し、試作サービスと人材育成を一体的に推進し、産学連携オープンイノベーションのハブとなることを目指します。

研究拠点/所在地

つくばセンター中央事業所

WEBサイト

ハイブリッド機能集積研究部門WEBサイト(準備中)

エレクトロニクス基盤技術研究部門

エレクトロニクス基盤技術研究部門

次世代エレクロトニクスの基盤となる多様なデバイスニーズに対応

将来、各種の産業・社会ニーズに対応してサイバーフィジカルシステムが高度化し、次世代エレクトロニクスは進化します。その実現のために、先端シリコンCMOSデバイスの他にも新しい材料や製造・加工技術に基づいた多様なエレクトロニクスデバイスの開発が求められます。
エレクトロニクス基盤技術研究部門では、これらのニーズに対応するため、高周波エレクトロニクス、最先端半導体製造検査、非ノイマン型コンピューティング等に対応する高機能デバイスや、エレクトロニクスの省エネルギー化に貢献する化合物半導体材料、超伝導材料、電気光学材料等の開発に取り組んでいます。

研究拠点/所在地

つくばセンター中央事業所

WEBサイト

エレクトロニクス基盤技術研究部門WEBサイト(準備中)

 

 

センシング技術研究部門

センシング技術研究部門

高価値の情報を抽出するセンシング技術とその基盤技術の研究開発

人やモノが実在するフィジカル空間から情報を抽出してサイバー空間へ送り、そこで新たな価値を創出することで、 社会課題の解決に導くことがスマート社会(Society 5.0)の実現においては重要です。センシング技術はその情報の源泉であることから、当研究部門ではDX・GXのための製造センシング、レジリエント社会に資する環境モニタリング、ウェルビーイングに向けた人センシング、またそれらの基盤技術等、高価値の情報を抽出するための技術を開発しています。
革新的なセンシング技術により得られる情報の質を高めることで、差別化された新しいサービスを社会実装し、 我が国の社会課題の解決と産業競争力強化に貢献することを目指します。

研究拠点/所在地

九州センター、つくばセンター中央事業所、柏センター

WEBサイト

センシング技術研究部門WEBサイト(準備中)
新原理コンピューティング研究センター

新原理コンピューティング研究センター

量子コンピューター等の非ノイマン型コンピューティング技術の実現を目指して

日本が目指す未来社会「Society 5.0」では、クラウドコンピューティングおよびエッジコンピューティングの両方において情報処理量の爆発的な増大が見込まれています。しかし、デジタル回路技術とノイマン型コンピューティングをベースとする従来の情報処理技術だけでは、将来的に情報量増大への対応は困難になると予想されています。
そこで新原理コンピューティング研究センターでは新しい物理原理に基づく非ノイマン型コンピューティング技術を開発し、従来技術では達成できないような飛躍的な情報処理能力の向上によりSociety 5.0の実現に寄与することを目指します。具体的には、スピントロニクス素子技術を活用した脳型(ニューロモルフィック)コンピューティング回路、情報処理および通信の省電力化のための電圧駆動型不揮発性メモリVC-MRAMや超高速不揮発性メモリSOT-MRAMなどの研究開発を推進します。

研究拠点/所在地

つくばセンター(中央)

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
TEL:029-861-5433 / FAX:029-861-3432

WEBサイト

新原理コンピューティング研究センターWEBサイト
光電融合研究センター

光電融合研究センター

最先端フォトニクス技術と連携が織りなす光電融合技術の創出

生成AIの登場により、コンピュータシステムの高性能化や巨大化が必要となっています。コンピュータシステム間の光信号通信技術の省エネ化、高性能化、高機能化が今後の鍵と考えられており、そのブレイクスルー技術としてフォトニクス技術とエレクトロニクス技術が融合した光電融合技術が注目されています。
光電融合研究センターでは、シリコンフォトニクスに代表されるデバイス技術をはじめ、光電融合パッケージ等の実装技術、光スイッチパスネットワーク等のネットワーク技術に至る様々な階層で、最先端フォトニクス研究を推進します。これらのフォトニクス技術をエレクトロニクス技術と連携させ、新たに光電融合技術分野の創出を目指していきます。 

参画するコンソーシアム

  • 次世代グリーンデータセンター用デバイス・システムに関する協議会(次世代GDC協議会)
  • シリコンフォトニクスコンソーシアム

研究拠点/所在地

つくばセンター中央事業所、つくばセンター西事業所

WEBサイト

光電融合研究センターWEBサイト(準備中)

先端半導体研究センター

先端半導体研究センター

先端半導体向けの材料、デバイス、プロセス、設計、環境負荷評価の研究開発

半導体は私たちの生活のさまざまな場面で活用され、社会課題の解決や産業競争力強化になくてはならない存在となっており、国内における先端半導体製造基盤の確保が強く求められています。
先端半導体研究センターでは、2nm世代や2nm世代以降の先端半導体に必要となる材料、デバイス、プロセス、設計、環境負荷評価の研究開発に取り組むとともに、共用設備であるスーパークリーンルーム(SCR)や未踏デバイス試作共用拠点(COLOMODE)、AIチップ設計拠点において、研究開発と試作サービス提供、人材育成を一体として実施することにより、先端半導体の製造基盤を確保し、オープンイノベーションを推進する中核拠点となることを目指します。

参画する技術研究組合

  • 技術研究組合 最先端半導体技術センター

研究拠点/所在地

つくばセンター中央事業所、つくばセンター西事業所、産総研-東大AIチップデザインOIL

WEBサイト

先端半導体研究センターWEBサイト
先進パワーエレクトロニクス研究センター

先進パワーエレクトロニクス研究センター

ワイドギャップ半導体を用いた次世代パワーエレクトロニクス技術の実用化

家電や自動車、各種産業機器に使われるインバータで代表されるパワーエレクトロニクスは、電気エネルギーを制御するキー技術で、現在はシリコンパワー素子で成り立っていますが、性能に限界が見え始めています。
先進パワーエレクトロニクス研究センターでは、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、ダイヤモンドなどのワイドギャップ半導体のウエハ技術からパワー素子の開発、さらにその素子性能を充分に生かせる回路・実装・制御からなるパワーエレクトロニクス統合化技術へと開発を進め、システムメリットからこの限界突破を目指すとともに、エネルギー制御のためのエレクトロニクス基盤構築を将来的な目標としています。

参画するコンソーシアム

  • TPEC(Tsukuba Power Electronics Constellation)

 

研究拠点/所在地

つくばセンター西事業所、つくばセンター中央事業所、関西センター

WEBサイト

先進パワーエレクトロニクス研究センターWEBサイト

エレクトロニクス・製造領域

連絡先:エレクトロニクス・製造領域 連携推進室

メール:rpd-eleman-ml*aist.go.jp(*を@に変更して送信下さい。)

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