施設概要
産総研内外の研究者を対象にして、電子顕微鏡用試料作製依頼及び分析依頼を承っております。事前の技術相談は無料です。
また実際の分析には立合いが可能で、その場でオペレーターの助言を得ながら、依頼者の希望する分析データを得ることができます。
装置一覧
TEM
| 装置名称/メーカー |
設置場所 |
主な仕様 |
Tecnai Osiris/FEI
（高分解能観察、EDS EELS）
|
つくば中央5群 5-9棟1F |
加速電圧 |
80 kV～200 kVまで可変。通常200 kV |
| 電子銃 |
Schottky FEG |
| 拡大倍率 |
22～930,000倍 |
| 分解能 |
点分解能0.25 nm、格子像分解能0.102 nm |
| 試料ホルダー |
１軸傾斜ホルダー、２軸傾斜ホルダー |
| 付属装置 |
STEM,EELS,EDS |
| 画像記録 |
スロースキャンCCD |
| 観察、分析内容 |
通常観察、高分解能観察、元素分析(EELS、EDS)、トモグラフィー |
JEM-ARM200F/日本電子
（高分解能観察、EELS）
|
つくば中央5群 5-2棟1F |
加速電圧 |
60,80,120,200 kV可変 |
| 電子銃 |
Thermal Schottky FEG ZrO/W(100)輝度≧4×108 A/cm2sr |
| STEM収差補正 |
CEOS社製CESCORR（3次の収差補正） |
| 拡大倍率 |
STEM:200～1億5000万倍 |
| 分解能 |
STEM暗視野分解能0.10 nm(電流10 pA)、TEM分解能0.23 nm(粒子)、0.1 nm(格子) |
| 試料ホルダー |
１軸傾斜ホルダー、２軸傾斜ホルダー、冷却ホルダー、加熱ホルダー |
| 付属装置 |
エネルギー損失分光器（EELS、Gatan Enfina)
HAADF（広角散乱環状検出器)、MAADF（中角散乱環状検出器)、BF（明視野検出器） |
| 画像記録 |
Ultrascan CCD(2 k x 2 k)動画連続撮影 |
| 観察、分析内容 |
通常観察、高分解能観察、元素分析(EELS、１次元、２次元) |
H-7600/日立ハイテク（主に生物系試料）
|
つくば中央6群 6-9棟1F |
加速電圧 |
40〜120 kV(通常120 kV) |
| 電子銃 |
タングステン熱電子銃 |
| 拡大倍率 |
50～600,000倍 |
| 分解能 |
0.2 nm(格子)、0.36 nm(点分解能) |
| 試料ホルダー |
１軸傾斜ホルダー |
| 付属装置 |
なし |
| 画像記録 |
フィルム、スロースキャンCCDカメラ |
| 観察、分析内容 |
明視野像観察（ネガティブ染色や超薄切片などの観察に適している。） |
Tecnai G2 F20 / FEI
（無機材料、クライオ観察、EDS、EELS）
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関西センター 計測センター112号室 |
加速電圧 |
～200 kV |
| 電子銃 |
熱電界放射型 |
| 拡大倍率 |
200～1,000,000倍 |
| 分解能 |
点分解能0.27 nm、線分解能0.14 nm |
| 試料ホルダー |
高傾斜１軸ホルダー(70度),分析用２軸傾斜ホルダー,3軸調整傾斜ホルダー,クライオホルダー |
| 付属装置 |
EDS，GIF，STEM，トモグラフィー |
| 画像記録 |
フィルム,スロースキャンCCD,GIF |
| 観察、分析内容 |
明視野観察，暗視野観察，高分解能観察，STEM，EDS，EELS，フィルター・イメージ、トモグラフィー |
SEM
| 装置名称/メーカー |
設置場所 |
主な仕様 |
JSM-7400F/日本電子
（高分解能観察、EDS）
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つくば東地区 東-1C棟1F |
加速電圧 |
0.1～30 kV |
| 電子銃 |
冷陰極 電界放出形電子銃（タングステン<310>陰極） |
| 拡大倍率 |
25～650,000倍 |
| 分解能 |
1.0 nm |
| 試料ホルダー |
12.5φ x 10 mmH用、26 mm x 10 mmH用 |
| 付属装置 |
EDS（EDAX GENESIS） |
| 観察、分析内容 |
通常観察、元素分析 |
S-5500/日立ハイテク
（高分解能観察、EDS）
|
関西センター A-4棟 1104-3室 |
加速電圧 |
0.5～30 kV（0.1 kVステップ） |
| 電子銃 |
冷陰極 電界放出形電子銃 |
| 拡大倍率 |
60～2,000,000倍 |
| 分解能 |
0.4 nm（at 30 kV）、1.6 nm（at 1 kV） |
| 試料ホルダー |
バルク用、STEM用、雰囲気遮断(平面用及び断面用) |
| 付属装置 |
EDS(EDAX) |
| 観察、分析内容 |
二次電子像、反射電子像、透過電子像、元素分析 |
FIB
| 装置名称/メーカー |
設置場所 |
主な仕様 |
FB-2100/日立
（FIB）
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つくば東地区 東-1C棟1F |
加速電圧 |
10～40 kV |
| イオン源 |
Ga |
| SIM分解能 |
6.0 nm |
| 付属装置 |
マイクロサンプリングシステム、タングステンデポジット |
| 画像記録 |
可 |
連絡先
エレクトロニクス・製造領域 製造技術研究部門 トライボロジー研究グループ内
電子顕微鏡施設事務局
〒305-8564 茨城県つくば市並木1-2-1 中央事業所東地区
電話:029-861-7190 FAX:029-861-7844
（技術問い合わせは電話では回答できません。以下のメールアドレスまでご連絡ください。）
Eメール：M-electron-microscopy-ml*aist.go.jp（*を@に変更して送信下さい。）