研究者の方へ
研究相談・研究データ・ 研究ユニット紹介
ビジネスの方へ
プロジェクト相談・ 研究依頼・各種協業相談
一般の方へ
産総研ってどんなとこ? 科学の扉を開こう!
科学の楽しさ、産総研が取り組んだ製品や事例のご紹介
ホーム > 研究成果検索 > 研究ハイライト 超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリ「電圧トルクMRAM」の原理を考案し、実証
産総研は、磁気トンネル接合素子における低消費電力な書き込み手法として期待されている「電圧書込み」について、実用化に必要な書込みエラー率を低減実現する道筋を明らかにしました。
今回、電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書き込みエラー率を低減させる方法を開発いたしました。さらに、実験結果を再現できる計算シミュレーションを用いて、減衰の強さの低減と記録保持性能の向上、あるいは書込み後、エラーが起きたら再度書き込みを行うなどの実行により、低いエラー率を実現できる可能性があることを示しました。
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2 電話:029-861-5433(研究センター代表)